有關(guān)LED的體驗(yàn)品質(zhì)的LED電源，如果制作得好的話，就可能造成對(duì)我們的工作產(chǎn)生一定的影響，那么電源制作過程中，我們應(yīng)該注意點(diǎn)什么？今天，元宵燈會(huì)制作制作公司打算與大家分享。首先，對(duì)建議的降容的生活產(chǎn)生直接影響LED電流LED電流大小的幅度，所以盡量控制小點(diǎn)，尤其是如果冷卻效果不好LED，LED必須留有足夠的余量。二，芯片熱主要用于高壓內(nèi)部電源調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器芯片。如果IC的電流消耗為2mA，300V電壓在芯片上方施加，芯片的功率消耗是0.6W，當(dāng)然會(huì)導(dǎo)致芯片的加熱。驅(qū)動(dòng)芯片*從驅(qū)動(dòng)電源的消耗電流MOS晶體管，一個(gè)簡單的公式是I = CVF（考慮電阻有效電荷，實(shí)際= 2cvf，I，其中c是CGS電容器功率MOS晶體管，v是功率MOSFET時(shí)的柵極電壓，所以為了降低功耗該芯片的，必須想辦法降低C，v和f，如果c，v和f不能改變，那就想被分配到設(shè)備芯片的芯片的功耗以外的方式，注意自貢引入第三的附加的功率，功率管熱管的功率消耗被分成兩個(gè)部分，開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗要注意的是，特別是，多數(shù)場(chǎng)合電源的LED驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中，損傷是遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于所述開關(guān)的導(dǎo)通損耗。CGD和CGS和驅(qū)動(dòng)能力òF上的芯片和開關(guān)管的相關(guān)工作頻率和功率損耗，管加熱功率要解決可以從以下幾方面來解決：1、不片面根據(jù)導(dǎo)通的大小來選擇MOS功率晶體管電阻，由于電阻越小，電容越大CGS和CGD。 CGS為1N60大約是250pF的，CGS 2N60大約是350pF，CGS 5N60約為1200pF，太大的差別，當(dāng)可選功率管，夠用就可以了。 2、其余的是驅(qū)動(dòng)能力的芯片頻率，頻率這里談話沖擊頻率也正比于傳導(dǎo)損耗，使得當(dāng)加熱功率管，首先想到頻率選擇不是有點(diǎn)高。然而，注意，當(dāng)頻率降低時(shí)，為了獲得相同的負(fù)載CApacity，峰值電流被綁定到或更大的電感變大，這可能會(huì)導(dǎo)致電感進(jìn)入飽和區(qū)域。如果電感飽和電流足夠大，considerThe CCM（連續(xù)電流模式）改變到DCM（不連續(xù)電流模式），從而需要增加的負(fù)載電容。